I. Du transistor aux portes logiques (principe)¶
Le Transistor¶
Dispositif électronique permettant de laisser passer un courant, ou pas, à partir d'un autre courant.
Une tension appliquée la base (ou "grille"), permet de laisser passer le courant entre le collecteur (ou "source") et l'émetteur (ou "drain")
NB :
- il existe de gros transistors (taille d'une pièce de monnaie)
- les plus petits sont dans les processeurs (plusieurs milliards par cm²)
Etat bloqué, état passant¶
Principe de réalisation des "portes logiques"¶
On considère une tension haute (5V), une tension basse (0V)
5V en Sortie ssi 1 en Entrée 1 et 1 en Entrée 2 : ET logique
5V en Sortie ssi 0 en Entrée : NON logique
II. Des portes logiques aux circuits électroniques¶
Avec le principe précédent, on réalise les portes logiques ("logical gates") de base :
On peut ensuite réaliser de circuits de plus en plus complexes : cf cours
Exemple de circuit :¶
Circuit "Selecteur" :
- sel = 0 : la sortie vaut x0
- sel = 1 : la sortie vaut x1
Exemple de circuit : un des premiers microprocesseur¶
Intel 4004 : 1970 environ 2000 transistors
NB : 16 connections (pour les entrées / sorties)
Exemple de circuit : un microprocesseur récent¶
Problème pratique : Tension haute et tension basse sont parfois reliées
Courant -> Chaleur (effet Joule) -> Surchauffe ...
Concevoir des portes logiques qui ne consomment pas (peu) de courant ?
Transistor N, Transistor P¶
Transistor N : bloqué au repos, passant sinon
Transistor P : passant au repos, bloqué sinon
Conception CMOS¶
Complementary (technique d'assemblage)
Metal Oxide Semiconductor (les trois matériaux utilisés : conducteur, isolant, semi-conducteur)
Etat de la Sortie en fonction de l'état d'Entrée ?
- Si Entrée = 0 : P passant, N bloqué : Sortie à 1
- Si Entrée = 1 : P bloqué, N passant : Sortie à 0
C'est une porte NON (Inverseur CMOS)
La tension haute et la tension basse ne sont jamais reliées
pas de circulation de courant, pas d'échauffement !!
NB : les portes CMOS NON, NAND et NOR sont les plus simples à réaliser
Silicium pur, "Dopage" P, "Dopage" N¶
Si : Silicium (4 électrons de valence)
En structure cristalline
Dopage N¶
On remplace quelques atomes Si par des atomes P (phosphore, valence 5)
NB : il y a un électron non lié par une liaison covalente, susceptible de se déplacer facilement
Dopage P¶
On remplace quelques atomes Si par des atomes B (bore, valence 3)
NB : il y a un trou dans une liaison covalente, susceptible d'accepter facilement un électron
Jonction P-N¶
On dope P et on dope N à deux endroits voisins : on obtient le comportement d'une diode (passant dans un sens, bloqué dans l'autre sens)
Circulation possible des électrons de Droite à Gauche (donc courant de Gauche à Droite)
NB : attention, code couleur inversé par rapport à ce qui précède
Réalisation des transistors P et transistors N¶
Sur ce principe, en dopant un substrat de silicium P par endroit, N à d'autre, on rend certaines zones conductrices ou isolantes en fonction d'un champ électrique
Plus de détails sur https://www.irif.fr/~carton/Enseignement/Architecture/Cours/Gates/
Réalisation pratique :¶
par "gravure" et dépôt de couches successives
ci-dessous : transistor P Ã gauche, transistor N Ã droite
Réalisation pratique :¶
finesse de gravure actuelle : < 10 nm
taille d'un atome : 0.1 nm
au microscope électronique
V. De l'atome à l'application informatique¶
- Atomes
- Transistors
- Portes logiques
- Circuits logiques
- Processeurs (et mémoire)
- Exécution de code machine (OS et processus)
- Programme informatique compilé (compilation et assembleur)
- Programme informatique
- Algorithmes et applications